maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FPN660
Référence fabricant | FPN660 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FPN660 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FPN660 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 75MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-226 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FPN660 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FPN660-FT |
JAN2N3737
Microsemi Corporation
JANTX2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3737
Microsemi Corporation
JANTXV2N5582
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2369AUB
Microsemi Corporation
JANS2N3019
Microsemi Corporation
JANTX2N3421
Microsemi Corporation
JAN2N1893
Microsemi Corporation
JANTX2N3637
Microsemi Corporation
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
Intel
5AGXFA7H4F35I3N
Intel