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Référence fabricant | FN6660070 |
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Numéro de pièce future | FT-FN6660070 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SaRonix-eCera™ FN |
FN6660070 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 66.667MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | CMOS |
Stabilité de fréquence | 3.3V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±25ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -20°C ~ 70°C |
Évaluations | 40mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
0.071" (1.80mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FN6660070 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FN6660070-FT |
FKA620005
Diodes Incorporated
FKA620006
Diodes Incorporated
FKC500001
Diodes Incorporated
FKC500004
Diodes Incorporated
FKC500007
Diodes Incorporated
FKD300002
Diodes Incorporated
FKD330001
Diodes Incorporated
FN0150023
Diodes Incorporated
FN0180037
Diodes Incorporated
FN0200046
Diodes Incorporated
A3P060-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
EP3SL200F1517C3N
Intel
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1SG
Intel
10AX032E1F27E1HG
Intel