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Référence fabricant | FN3680009 |
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Numéro de pièce future | FT-FN3680009 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SaRonix-eCera™ FN |
FN3680009 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 36.864MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | CMOS |
Stabilité de fréquence | 3.3V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±50ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -40°C ~ 85°C |
Évaluations | 25mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
0.071" (1.80mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FN3680009 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FN3680009-FT |
FK6250005
Diodes Incorporated
FK6400001
Diodes Incorporated
FK6400002
Diodes Incorporated
FK6400003
Diodes Incorporated
FK6600004
Diodes Incorporated
FK6600006
Diodes Incorporated
FK6600008
Diodes Incorporated
FK6660005
Diodes Incorporated
FK6660008
Diodes Incorporated
FK6660009
Diodes Incorporated
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
10M04DCF256I7G
Intel
5SGXEB6R3F40C4N
Intel
5SGXEB5R1F43C2N
Intel
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Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2N
Intel