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Référence fabricant | FM25V02A-DG |
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Numéro de pièce future | FT-FM25V02A-DG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | F-RAM™ |
FM25V02A-DG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (4.5x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FM25V02A-DG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FM25V02A-DG-FT |
W25Q256FVEIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIQ
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W25Q256FVEIQ TR
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W25Q256FVEJF
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W25Q256FVEJF TR
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W25Q256FVEJQ
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W25Q256FVEJQ TR
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W25Q257FVEIF TR
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W25Q32BVZPIG
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W25Q32DWZEIG
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XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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