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Référence fabricant | FK1220016Z |
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Numéro de pièce future | FT-FK1220016Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SaRonix-eCera™ FK |
FK1220016Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 12.288MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | LVCMOS |
Stabilité de fréquence | 1.8V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±50ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -40°C ~ 85°C |
Évaluations | 4mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
0.045" (1.15mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK1220016Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FK1220016Z-FT |
SXF000007
Diodes Incorporated
SXF550007
Diodes Incorporated
SXF550009
Diodes Incorporated
UJ2600003
Diodes Incorporated
UK2600002
Diodes Incorporated
FDSAS6062
Diodes Incorporated
JT2551T0039.000000
Diodes Incorporated
JT255CF0026.000000
Diodes Incorporated
KM3270004
Diodes Incorporated
KX2013B0032.768000
Diodes Incorporated
A54SX16P-1TQG144M
Microsemi Corporation
XC3S700A-5FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3LN
Intel
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ160M
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780I6
Intel