maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / FJNS4202RTA
Référence fabricant | FJNS4202RTA |
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Numéro de pièce future | FT-FJNS4202RTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJNS4202RTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4202RTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJNS4202RTA-FT |
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel