maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / FJNS4202RBU
Référence fabricant | FJNS4202RBU |
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Numéro de pièce future | FT-FJNS4202RBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJNS4202RBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4202RBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJNS4202RBU-FT |
PDTC144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel