maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FJD3076TM
Référence fabricant | FJD3076TM |
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Numéro de pièce future | FT-FJD3076TM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJD3076TM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 500mA, 3V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJD3076TM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJD3076TM-FT |
BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
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BCX5616E6433HTMA1
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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