maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FJBE2150DTU
Référence fabricant | FJBE2150DTU |
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Numéro de pièce future | FT-FJBE2150DTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ESBC™ |
FJBE2150DTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 800V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 330mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 3V |
Puissance - Max | 110W |
Fréquence - Transition | 5MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJBE2150DTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJBE2150DTU-FT |
KSC5603D
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