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Référence fabricant | FJ1120001Z |
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Numéro de pièce future | FT-FJ1120001Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SaRonix-eCera™ FJ |
FJ1120001Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 11.2896MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | LVCMOS |
Stabilité de fréquence | 3.3V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±25ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -40°C ~ 85°C |
Évaluations | 10mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
0.039" (1.00mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ1120001Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJ1120001Z-FT |
FN3330075
Diodes Incorporated
FN3330078
Diodes Incorporated
FN3600001
Diodes Incorporated
FN3710001
Diodes Incorporated
FN4000157
Diodes Incorporated
FN4800068
Diodes Incorporated
FN4800077
Diodes Incorporated
FN5000109
Diodes Incorporated
FN5000110
Diodes Incorporated
FN5000113
Diodes Incorporated
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C40U484C6
Intel
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3LG
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel
EP4SGX230FF35I4N
Intel