maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / FGPF50N30TTU
Référence fabricant | FGPF50N30TTU |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FGPF50N30TTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FGPF50N30TTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 15A |
Puissance - Max | 46.8W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 97nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGPF50N30TTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FGPF50N30TTU-FT |
IM818MCCXKMA1
Infineon Technologies
IM818SCCXKMA1
Infineon Technologies
AUIRGU4045D
Infineon Technologies
GPA030A120I-FD
Global Power Technologies Group
GPA015A120MN-ND
Global Power Technologies Group
GPA020A120MN-FD
Global Power Technologies Group
GPA020A135MN-FD
Global Power Technologies Group
GPA025A120MN-ND
Global Power Technologies Group
GPA030A120MN-FD
Global Power Technologies Group
GPA030A135MN-FDR
Global Power Technologies Group
LFEC6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-3
Intel
5SGSED8K3F40I3N
Intel
A54SX32A-2TQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel