maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / FGL60N100BNTDTU
Référence fabricant | FGL60N100BNTDTU |
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Numéro de pièce future | FT-FGL60N100BNTDTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FGL60N100BNTDTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | NPT and Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1000V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
Puissance - Max | 180W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 275nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 140ns/630ns |
Condition de test | 600V, 60A, 51 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.2µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGL60N100BNTDTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FGL60N100BNTDTU-FT |
SGW25N120FKSA1
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10M08DFV81C8GES
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XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFXP3C-3Q208C
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EP20K1000CF33C8
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