maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / FGH75T65SHD-F155
Référence fabricant | FGH75T65SHD-F155 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FGH75T65SHD-F155 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FGH75T65SHD-F155 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 225A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Puissance - Max | 455W |
Énergie de commutation | 2.4mJ (on), 720µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 123nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 28ns/80ns |
Condition de test | 400V, 75A, 3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 43.4ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 Long Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGH75T65SHD-F155 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FGH75T65SHD-F155-FT |
RJH60D2DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60D3DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60M2DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60M3DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60V1BDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60V2BDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60V3BDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJP60F0DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60A01RDPD-A0#J2
Renesas Electronics America
RJH60A81RDPD-A0#J2
Renesas Electronics America
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP20K400CF672C9ES
Intel
5SGXMA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP2AGX95DF25C5N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3LG
Intel