maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / FG26X7R1H475KRT06
Référence fabricant | FG26X7R1H475KRT06 |
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Numéro de pièce future | FT-FG26X7R1H475KRT06 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FG |
FG26X7R1H475KRT06 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 50V |
Coéfficent de température | X7R |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Taille / Dimension | 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Style de plomb | Formed Leads - Kinked |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FG26X7R1H475KRT06 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FG26X7R1H475KRT06-FT |
UHV-6A
TDK Corporation
UHV-5A
TDK Corporation
UHV-4A
TDK Corporation
UHV-3A
TDK Corporation
UHV-2A
TDK Corporation
UHV-253A
TDK Corporation
UHV-252A
TDK Corporation
UHV-251A
TDK Corporation
UHV-243A
TDK Corporation
UHV-242A
TDK Corporation
LFEC1E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2SGX90FF1508I4N
Intel