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ON Semiconductor FFSH20120ADN-F155
- Numéro de pièce MFG
- FFSH20120ADN-F155
- quantité disponible
- 93230 Pièces
- Prix de référence
- USD 6.481104
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - DIODE SIC 1200V 10A TO247
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- FFSH20120ADN-F155.pdf
FFSH20120ADN-F155 Caractéristiques
| Référence fabricant | FFSH20120ADN-F155 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-FFSH20120ADN-F155 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| FFSH20120ADN-F155 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A (DC) |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 10A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-247-3 |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FFSH20120ADN-F155 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | FFSH20120ADN-F155-FT |
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