maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FFSH20120ADN-F155
Référence fabricant | FFSH20120ADN-F155 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FFSH20120ADN-F155 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FFSH20120ADN-F155 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH20120ADN-F155 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FFSH20120ADN-F155-FT |
MA3S1370GL
Panasonic Electronic Components
MA3S781DGL
Panasonic Electronic Components
MA3S781E0L
Panasonic Electronic Components
MA3S781EGL
Panasonic Electronic Components
MA3S781FGL
Panasonic Electronic Components
MA3S795D0L
Panasonic Electronic Components
MA3S795E0L
Panasonic Electronic Components
MA3SD29F0L
Panasonic Electronic Components
MA3SE0100L
Panasonic Electronic Components
MA3SE0200L
Panasonic Electronic Components
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel