maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FFH30US30DN
Référence fabricant | FFH30US30DN |
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Numéro de pièce future | FT-FFH30US30DN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Stealth™ |
FFH30US30DN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFH30US30DN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FFH30US30DN-FT |
DHG20C600PB
IXYS
DHG40C600PB
IXYS
DPG20C200PB
IXYS
DPG20C300PB
IXYS
DPG20C400PB
IXYS
DPG30C200PB
IXYS
DPG30C300PB
IXYS
DPG30C400PB
IXYS
DSA20C100PB
IXYS
DSA20C150PB
IXYS
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel