maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF400R07KE4HOSA1
Référence fabricant | FF400R07KE4HOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF400R07KE4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF400R07KE4HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 400A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF400R07KE4HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF400R07KE4HOSA1-FT |
FA300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FB10R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FB10R06KL4GB1BOMA1
Infineon Technologies
FB10R06KL4GBOMA1
Infineon Technologies
FB15R06KL4B1BOMA1
Infineon Technologies
FB20R06KL4B1BOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3B11HOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel