maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Référence fabricant | FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF1000R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1000A |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF1000R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel