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Référence fabricant | FESF16JT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESF16JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESF16JT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESF16JT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESF16JT-E3/45-FT |
PMEG3010EB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3002AEB,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4002EB,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB31,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2010AEB,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB10,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB70,115
Nexperia USA Inc.
1PS79SB30,135
Nexperia USA Inc.
BAS521,315
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel