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Référence fabricant | FESB8GTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESB8GTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESB8GTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8GTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESB8GTHE3/45-FT |
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel