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Référence fabricant | FES16GT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FES16GT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FES16GT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES16GT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES16GT-E3/45-FT |
VS-300UR10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300UR30A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-301URA120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-301URA180
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-301URA240
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-301URA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-302U60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-302UR60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-309UR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400U80D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel