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Référence fabricant | FERD30H100SB-TR |
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Numéro de pièce future | FT-FERD30H100SB-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FERD30H100SB-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | FERD (Field Effect Rectifier Diode) |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FERD30H100SB-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FERD30H100SB-TR-FT |
STTH3002G
STMicroelectronics
STTH30L06G
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STTH5R06G
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STTH8L06G
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STTH8R06G
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XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel