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Référence fabricant | FERD20S100STS |
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Numéro de pièce future | FT-FERD20S100STS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FERD20S100STS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | FERD (Field Effect Rectifier Diode) |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 780mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FERD20S100STS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FERD20S100STS-FT |
SRT15HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT15HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT15HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT16 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT16HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT16HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT16HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT19 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT19 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel