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ON Semiconductor FDZ3N513ZT

Numéro de pièce MFG
FDZ3N513ZT
quantité disponible
78640 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDZ3N513ZT Caractéristiques

Référence fabricant FDZ3N513ZT
Numéro de pièce future FT-FDZ3N513ZT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDZ3N513ZT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) +5.5V, -0.3V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 15V
Caractéristique FET Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 4-WLCSP (0.96x0.96)
Paquet / caisse 4-UFBGA, WLCSP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDZ3N513ZT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDZ3N513ZT-FT

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