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ON Semiconductor FDV302P-NB8V001

Numéro de pièce MFG
FDV302P-NB8V001
quantité disponible
92170 Pièces
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDV302P-NB8V001 Caractéristiques

Référence fabricant FDV302P-NB8V001
Numéro de pièce future FT-FDV302P-NB8V001
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDV302P-NB8V001 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Vgs (Max) -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDV302P-NB8V001 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDV302P-NB8V001-FT

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