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ON Semiconductor FDV301N-NB9V005

Name: FDV301N-NB9V005
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDV301N-NB9V005
Availability: InStock
Rating: 4.9 (342 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDV301N-NB9V005

quantité disponible: 59510 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDV301N-NB9V005.pdf

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FDV301N-NB9V005 Caractéristiques

Référence fabricant	FDV301N-NB9V005
Numéro de pièce future	FT-FDV301N-NB9V005
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDV301N-NB9V005 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	220mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.06V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDV301N-NB9V005 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDV301N-NB9V005-FT

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