maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDU8896
Référence fabricant | FDU8896 |
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Numéro de pièce future | FT-FDU8896 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDU8896 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Ta), 94A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2525pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 80W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDU8896 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDU8896-FT |
HUFA76423S3S
ON Semiconductor
HUFA76423S3ST
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HUFA76429S3S
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5SGXEA5K1F35I2N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation