maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDT1600N10ALZ
Référence fabricant | FDT1600N10ALZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDT1600N10ALZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDT1600N10ALZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 10.42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDT1600N10ALZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDT1600N10ALZ-FT |
HUF76407D3
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M2GL025T-1VFG256I
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