maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDS8878
Référence fabricant | FDS8878 |
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Numéro de pièce future | FT-FDS8878 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDS8878 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 10.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 897pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS8878 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS8878-FT |
FQAF33N10
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FQAF33N10L
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AGL600V2-FG144
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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