maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDS86242
Référence fabricant | FDS86242 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDS86242 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDS86242 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS86242 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS86242-FT |
FQAF44N10
ON Semiconductor
FQAF47P06
ON Semiconductor
FQAF58N08
ON Semiconductor
FQAF5N90
ON Semiconductor
FQAF65N06
ON Semiconductor
FQAF6N80
ON Semiconductor
FQAF6N90
ON Semiconductor
FQAF70N15
ON Semiconductor
FQAF7N80
ON Semiconductor
FQAF7N90
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel