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ON Semiconductor FDS3812

Numéro de pièce MFG
FDS3812
quantité disponible
62690 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDS3812.pdf
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FDS3812 Caractéristiques

Référence fabricant FDS3812
Numéro de pièce future FT-FDS3812
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDS3812 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS3812 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDS3812-FT

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