maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF3860TYDTU
Référence fabricant | FDPF3860TYDTU |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF3860TYDTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDPF3860TYDTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38.2 mOhm @ 5.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 33.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF3860TYDTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF3860TYDTU-FT |
FQI6N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N10LTU
ON Semiconductor
FQI7N10TU
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FQI7P06TU
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FQI8N60CTU
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FQI9N15TU
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FQI9N25CTU
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XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel