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FDP4D5N10C Image

ON Semiconductor FDP4D5N10C

Numéro de pièce MFG
FDP4D5N10C
quantité disponible
40330 Pièces
Prix de référence
USD 2.887504
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDP4D5N10C.pdf
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FDP4D5N10C Caractéristiques

Référence fabricant FDP4D5N10C
Numéro de pièce future FT-FDP4D5N10C
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDP4D5N10C Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 128A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5065pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP4D5N10C Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDP4D5N10C-FT

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