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ON Semiconductor FDP4D5N10C

Name: FDP4D5N10C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP4D5N10C
Price: 2.887504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDP4D5N10C

quantité disponible: 40330 Pièces

Prix de référence: USD 2.887504

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDP4D5N10C.pdf

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FDP4D5N10C Caractéristiques

Référence fabricant	FDP4D5N10C
Numéro de pièce future	FT-FDP4D5N10C
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDP4D5N10C Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	128A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP4D5N10C Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDP4D5N10C-FT

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