maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDN360P-NBGT003B
Référence fabricant | FDN360P-NBGT003B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDN360P-NBGT003B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FDN360P-NBGT003B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN360P-NBGT003B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDN360P-NBGT003B-FT |
CPC3701C
IXYS Integrated Circuits Division
CPC3710C
IXYS Integrated Circuits Division
CPC3714C
IXYS Integrated Circuits Division
CPC3720C
IXYS Integrated Circuits Division
CPC3730C
IXYS Integrated Circuits Division
CPH6341-M-TL-EX
ON Semiconductor
CPH6341-TL-EX
ON Semiconductor
CPH6347-TL-HX
ON Semiconductor
CPH6350-P-TL-E
ON Semiconductor
CPH6350-TL-EX
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel