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ON Semiconductor FDN357N

Name: FDN357N
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDN357N
Price: 0.121536 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (775 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDN357N

quantité disponible: 50460 Pièces

Prix de référence: USD 0.121536

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDN357N.pdf

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FDN357N Caractéristiques

Référence fabricant	FDN357N
Numéro de pièce future	FT-FDN357N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDN357N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SuperSOT-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN357N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDN357N-FT

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