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ON Semiconductor FDMS3660S-F121

Name: FDMS3660S-F121
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS3660S-F121
Availability: InStock
Rating: 4.7 (481 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDMS3660S-F121

quantité disponible: 61420 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDMS3660S-F121.pdf

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FDMS3660S-F121 Caractéristiques

Référence fabricant	FDMS3660S-F121
Numéro de pièce future	FT-FDMS3660S-F121
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDMS3660S-F121 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 15V
Puissance - Max	1W
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur	Power56
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS3660S-F121 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDMS3660S-F121-FT

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