maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDMQ8403
Référence fabricant | FDMQ8403 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMQ8403 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GreenBridge™ PowerTrench® |
FDMQ8403 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 12-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 12-MLP (5x4.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMQ8403 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMQ8403-FT |
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60AM45B1G
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APTC60AM45BC1G
Microsemi Corporation
APTC60AM35SCTG
Microsemi Corporation
APTC60AM242G
Microsemi Corporation
APTC60AM18SCG
Microsemi Corporation
LP1030DK1-G
Microchip Technology
XCV400-4FG676I
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XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
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10M40DCF484C8G
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EP3C25U256A7N
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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EP3SL150F780C4N
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EP20K1000CF33C8N
Intel