maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMJ1027P
Référence fabricant | FDMJ1027P |
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Numéro de pièce future | FT-FDMJ1027P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDMJ1027P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
Paquet / caisse | 6-VDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMJ1027P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMJ1027P-FT |
CC1202
Microsemi Corporation
CMPDM202PH BK
Central Semiconductor Corp
CMPDM203NH BK
Central Semiconductor Corp
CMPDM302PH BK
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CMPDM303NH BK
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CPC3701C
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CPC3710C
IXYS Integrated Circuits Division
CPC3714C
IXYS Integrated Circuits Division
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IXYS Integrated Circuits Division
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IXYS Integrated Circuits Division
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
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M1AGL1000V2-FGG144I
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