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ON Semiconductor FDME430NT

Numéro de pièce MFG
FDME430NT
quantité disponible
56520 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDME430NT.pdf
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FDME430NT Caractéristiques

Référence fabricant FDME430NT
Numéro de pièce future FT-FDME430NT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDME430NT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paquet / caisse 6-PowerUFDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDME430NT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDME430NT-FT

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