maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMC0310AS-F127
Référence fabricant | FDMC0310AS-F127 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMC0310AS-F127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMC0310AS-F127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3165pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.4W (Ta), 36W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC0310AS-F127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMC0310AS-F127-FT |
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