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ON Semiconductor FDH45N50F-F133

Name: FDH45N50F-F133
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDH45N50F-F133
Price: 9.4 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (710 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDH45N50F-F133

quantité disponible: 29170 Pièces

Prix de référence: USD 9.4

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: UniFET™ MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDH45N50F-F133.pdf

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FDH45N50F-F133 Caractéristiques

Référence fabricant	FDH45N50F-F133
Numéro de pièce future	FT-FDH45N50F-F133
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	UniFET™
FDH45N50F-F133 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	137nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6630pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	625W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDH45N50F-F133 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDH45N50F-F133-FT

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