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ON Semiconductor FDFM2N111

Name: FDFM2N111
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFM2N111
Price: 0.319824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (187 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDFM2N111

quantité disponible: 29860 Pièces

Prix de référence: USD 0.319824

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDFM2N111.pdf

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FDFM2N111 Caractéristiques

Référence fabricant	FDFM2N111
Numéro de pièce future	FT-FDFM2N111
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDFM2N111 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	273pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	1.7W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MicroFET 3x3mm
Paquet / caisse	6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFM2N111 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDFM2N111-FT

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