maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDD86252
Référence fabricant | FDD86252 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDD86252 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDD86252 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta), 27A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86252 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD86252-FT |
IRFR24N15DTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3303TRPBF
Infineon Technologies
IRFR4104TRPBF
Infineon Technologies
IRFR7446TRPBF
Infineon Technologies
IRFR9N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies
IRLR2908TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3105TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7807ZTRPBF
Infineon Technologies
TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage