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ON Semiconductor FDD850N10LD

Numéro de pièce MFG
FDD850N10LD
quantité disponible
79910 Pièces
Prix de référence
USD 0.415184
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDD850N10LD Caractéristiques

Référence fabricant FDD850N10LD
Numéro de pièce future FT-FDD850N10LD
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDD850N10LD Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Last Time Buy
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252-4L
Paquet / caisse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD850N10LD Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDD850N10LD-FT

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