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ON Semiconductor FDD6512A

Name: FDD6512A
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD6512A
Availability: InStock
Rating: 4.9 (191 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD6512A

quantité disponible: 93900 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD6512A.pdf

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FDD6512A Caractéristiques

Référence fabricant	FDD6512A
Numéro de pièce future	FT-FDD6512A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD6512A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10.7A (Ta), 36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1082pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD6512A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD6512A-FT

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