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ON Semiconductor FDD1600N10ALZ

Numéro de pièce MFG
FDD1600N10ALZ
quantité disponible
68960 Pièces
Prix de référence
USD 0.269064
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDD1600N10ALZ.pdf
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FDD1600N10ALZ Caractéristiques

Référence fabricant FDD1600N10ALZ
Numéro de pièce future FT-FDD1600N10ALZ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDD1600N10ALZ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.61nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 14.9W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD1600N10ALZ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDD1600N10ALZ-FT

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