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ON Semiconductor FDB86360_SN00307

Name: FDB86360_SN00307
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB86360_SN00307
Availability: InStock
Rating: 4.7 (21 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDB86360_SN00307

quantité disponible: 38250 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 80V

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDB86360_SN00307.pdf

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FDB86360_SN00307 Caractéristiques

Référence fabricant	FDB86360_SN00307
Numéro de pièce future	FT-FDB86360_SN00307
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDB86360_SN00307 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	253nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14600pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB86360_SN00307 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDB86360_SN00307-FT

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