maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDB8441
Référence fabricant | FDB8441 |
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Numéro de pièce future | FT-FDB8441 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDB8441 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta), 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB8441 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDB8441-FT |
FDA18N50
ON Semiconductor
FDA38N30
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FCA16N60N
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FQA11N90C-F109
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EP20K100ETC144-1N
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LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
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10AX027E4F29I3SG
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5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
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ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
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LFE3-95EA-6LFN672C
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