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ON Semiconductor FDB2670

Numéro de pièce MFG
FDB2670
quantité disponible
93490 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDB2670.pdf
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FDB2670 Caractéristiques

Référence fabricant FDB2670
Numéro de pièce future FT-FDB2670
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDB2670 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 93W (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263AB
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB2670 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDB2670-FT

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