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ON Semiconductor FDB14AN06LA0

Name: FDB14AN06LA0
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB14AN06LA0
Availability: InStock
Rating: 4.9 (643 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDB14AN06LA0

quantité disponible: 25300 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDB14AN06LA0.pdf

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FDB14AN06LA0 Caractéristiques

Référence fabricant	FDB14AN06LA0
Numéro de pièce future	FT-FDB14AN06LA0
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDB14AN06LA0 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta), 67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB14AN06LA0 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDB14AN06LA0-FT

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